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- SVF3205F T0-220F 全塑封士蘭微高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:士蘭微 | 型號:SVF3205F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管塑封場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- CS2N65FA9 華晶高壓MOS場效應(yīng)管封裝TO-220F
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- WSEM系列MOSFET系列逆變式直流電容CBB15 0.47UF 1200.VDC
  
  品牌:賽福 | 型號:WSEM系列MOSFET系列逆變式直流電容CBB15 0.47UF 1200.VDC | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:1600（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):≥3000S（MΩ•µF）（mΩ） | 損耗:tgδ≤20*10-4 (100Hz，1Vrms) | 額定電壓:1400（V） | 絕緣電阻:≥3000S（MΩ•µF）（mΩ） | 溫度系數(shù):-25℃—+75℃ | 標(biāo)稱容量:10/20/2/3/4/5/6UF等（uF）
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：直流電容 uf電容 0.47電容
- ≥50 PCS
  
  ￥7.50
- 詢價(jià)
- 仙童場效應(yīng)管FQPF13N50C 大電流高壓MOS管 13N50控制板
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF13N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管大電流場效應(yīng)管仙童場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口 MOS場效應(yīng)管4N60 600V 4A 高壓
  
  品牌:OGFD | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場效應(yīng)管 mos場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.02
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口仙童高壓場效應(yīng)管 FQP4N60 4N60
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場效應(yīng)管仙童場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 高壓場效應(yīng)管 7N80 增強(qiáng)型mos管
  
  品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F7N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 7n80場效應(yīng)管增強(qiáng)型mos管高壓mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥3.36
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)型mos管管場效應(yīng) 高壓場效應(yīng)管 PTP/F740
  
  品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 740場效應(yīng)管增強(qiáng)型mos管高壓mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)型mos管8N65 高壓場效應(yīng)管
  
  品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F8N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 8n65場效應(yīng)管增強(qiáng)型mos管高壓mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.70
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)型mos管高壓場效應(yīng)管 PTU/D630
  
  品牌:PUOLOP | 型號:PTU/D630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管增強(qiáng)型mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.03
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)型mos管 4N65 高壓場效應(yīng)管
  
  品牌:PUOLOP | 型號:PTU/D4N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n65場效應(yīng)管增強(qiáng)型mos管高壓mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.10
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)型mos管1N65 高壓場效應(yīng)管
  
  品牌:PUOLOP | 型號:PTU/D1N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：開關(guān)場效應(yīng)管增強(qiáng)型mos管高壓mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.62
- 詢價(jià)
- 華晶4N60高壓MOS管封裝TO-220場效應(yīng)管送樣
  
  品牌:華晶 | 型號:CS4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場效應(yīng)管華晶mos管
- ≥100 千克
  
  ￥0.78
- 詢價(jià)
- 華晶CS2N60B3D 高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號:CS2N60B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.97
- 詢價(jià)
- 華晶CS630A4H 高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號:CS630A4H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.84
- 詢價(jià)
- CS100N03B8 華晶高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號:CS100N03B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.14
- 詢價(jià)
- CS1N60B3 華晶高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號:CS1N60B3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.52
- 詢價(jià)
- 華晶CS1N60A1H-BD 高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號:CS1N60A1H-BD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.36
- 詢價(jià)
- CS7N60FA9HD 華晶高壓MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號:CS7N60FA9HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 mos場效應(yīng)管華晶場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.32
- 詢價(jià)
- AOS/美國萬代 AOD413 aos場效應(yīng)管高壓MOS管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD413 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 aos場效應(yīng)管
- 1-4999 個(gè)
  
  ￥0.50
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)