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- 18A大電流MOS管NCE0218
  
  品牌:NCE | 型號(hào):NCE0218 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
- 詢價(jià)
- RU40190Q2 RUICHIPS大電流MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:RUICHIPS | 型號(hào):RU40190Q2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
- 詢價(jià)
- N溝中壓大電流MOS，HM1404, IRF1404
  
  品牌:華之美 | 型號(hào):HM1404 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 兼容:IRF1404 | 封裝:TO-220
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管IPP034NE7N 75V100A
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP034NE7N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢價(jià)
- FDS6912A 30V 6A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDS6912A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個(gè) N 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- 10-2999 個(gè)
  
  ￥0.70
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.65
- 詢價(jià)
- SI7738DP PowerPAK SO-8 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI7738DP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- 10-2999 個(gè)
  
  ￥0.80
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- IPB08CN10N 100V 95A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPB08CN10N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- SI4108DY 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI4108DY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 10-2999 個(gè)
  
  ￥0.80
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- IPP015N04NG 40V 100A 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP015N04NG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- N溝道場效應(yīng)管 IPP072N10N 80A/100V/7.2毫歐/150W 大電流
- 詢價(jià)
- 大電流MOS場效應(yīng)管IRFB3207Z
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：場效應(yīng)管拆機(jī) mos場效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.98
- 詢價(jià)
- 大電流MOS場效應(yīng)管IRL7833
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：場效應(yīng)管拆機(jī) mos場效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- IXFH80N10Q 80N10 80A 100V 進(jìn)口IXYS 大電流場效應(yīng)管
  
  品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFH80N10Q | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:TO-247-3
- ≥1 件
  
  ￥8.00
- 詢價(jià)
- IXFH150N17T IXYS大電流場效應(yīng)
  
  品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFH150N17T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:TO-247-3
- 1-199 件
  
  ￥12.00
- ≥200 件
  
  ￥10.00
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IRFB4410 FB4410Z
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)
- 仙童場效應(yīng)管FQPF11N40C 大電流高壓MOS管 11N40控制板
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管仙童場效應(yīng)管
- ≥1
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- RU40231 RUICHIPS系列大電流MOS管可接受
  
  品牌:RUICHIPS | 型號(hào):RU40231 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 詢價(jià)
- P溝中壓大電流MOS，HM30P55K, AOD413
  
  品牌:華之美 | 型號(hào):HM30P55K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 兼容:AOD413 | 封裝:TO-252
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)場效應(yīng)管大電流場效應(yīng)管06N02
  
  品牌:自主品牌 | 型號(hào):06N02 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 10-99 K
  
  ￥450.00
- ≥100 K
  
  ￥440.00
- 詢價(jià)
- IRF7416 低內(nèi)阻大電流
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF7416 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 10-2999 個(gè)
  
  ￥0.80
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.78
- 詢價(jià)

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