品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
≥3000 個(gè)
￥0.70
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個(gè)
￥0.55
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3442DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個(gè)
￥0.80
品牌:SILICON | 型號(hào):SI3424DV-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.75
品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MMFT2406T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.70
品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號(hào):2SJ576APTL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個(gè)
￥0.30
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK1724 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.50