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- 場效應管 AO3400 N溝道增強型 MOS管集成電路
  
  品牌:AO | 型號:AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應集成電路 n溝道m(xù)os管
- ≥10 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- IRFP460 場效應管N溝道 500V.20A TO-247封裝
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場效應管 20a場效應管
- ≥1 個
  
  ￥4.65
- 詢價
- ao4406 場效應管MOS AO4406 SOP-8 美國AOS
  
  品牌:AO | 型號:AO4406 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 功率:1 | 批號:2012+ | 封裝:SOP-8
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應管 aos場效應管 ao4406場效應管
- 詢價
- 場效應管K3599
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3599 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.50
- 詢價
- 場效應管K2842,K2972
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2842，K2972 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.50
- 詢價
- 場效應管10N50,11N50
  
  品牌:ST/意法 | 型號:10N50，11N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- STW9N150場效應Mos管，ST
  
  品牌:ST/意法 | 型號:STW9N150 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 大功率場效應管6N60
  
  品牌:ST/意法 | 型號:6N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥500 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- 大功率場效應管P9NK60
  
  品牌:ST/意法 | 型號:P9NK60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥0.50
- 詢價
- 進口場效應管FQA13N50/13N50
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:13n50/FQA13N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1000 個
  
  ￥0.85
- 詢價
- 場效應管FDP025N06
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP025N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- 場效應管IRF4104
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF4104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
- 500-999 個
  
  ￥1.20
- ≥1000 個
  
  ￥1.10
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- XP4878/復合場效應管MOSFET 雙N溝道 50V 100mA SOT-363/松下
  
  品牌:Panasonic/松下 | 型號:XP0487800LS0(XP4878) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SYM/對稱類 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mosfet場效應管復合場效應管
- ≥3000 千克
  
  ￥0.40
- 詢價
- IRF830 IR場效應管 N溝道功率MOS管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應管 n溝道m(xù)os管 irf830場效應管
- ≥3000 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- IR，仙童場效應管IRF840，IRF830
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840，IRF830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童場效應管 irf830場效應管 irf840場效應管
- ≥1000 個
  
  ￥0.75
- 詢價
- FQPF12N60C 12N60C 塑封MOS場效應管 N溝道 F仙童
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF12N60C 12N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場效應管 mos場效應管仙童場效應管
- ≥1 個
  
  ￥4.00
- 詢價
- IRF7303 F7303 MOS場效應管雙N溝道貼片8腳 IR
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7303 F7303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片mos管 mos場效應管貼片場效應管
- ≥1 個
  
  ￥2.00
- 詢價
- 場效應管IRFB4710
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4710 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥1.00
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- NDS352APN 仙童強模式場效電晶體 MOS管 SOT23
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS352APN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
- ≥1 個
  
  ￥0.38
- 詢價
- Fairchild 仙童 FQPF4N90C MOSFET 場效應管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 開啟電壓:900 | 夾斷電壓:10
- 詢價

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