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  1. irfp460場效應管
    • 進口原字IRFP460 IR 場效應管 3P封裝

      品牌:進口品牌 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

    • ≥1 個

      ¥1.80

    • 詢 價
    • IRFP31N50L場效應管500V31A460W VISHAY/IR

      品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP31N50LPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥1 個

      ¥0.10

    • 詢 價
    • IR場效應管 IRFP460A 進口

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥100 個

      ¥6.20

    • 詢 價
    • IRFP460PBF TO-247-3

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 詢 價
    • 場效應管 IRFP460 無鉛

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

    • ≥1000 個

      ¥9.50

    • 詢 價
    • IRFP460

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1 個

      ¥1.00

    • 詢 價
    • 場效應

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

    • ≥50 個

      ¥5.50

    • 詢 價
    • IRFP460APBF

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460APBF | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-3P | 發(fā)貨期限:3 | 應用范圍:放大

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    • 順樂宏業(yè) IRFP460LCPBF

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460LCPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0

    • ≥25 個

      ¥8.00

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    • TO-3P大功率場效應 IRFP460A

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 截止頻率fT:0

    • ≥100 個

      ¥6.50

    • 詢 價