品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76137P3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ME | 型號:ME75N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS4710PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1012R-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76137P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 30V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1404ZPBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 產品類型:其他 | 應用范圍:功率

品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N03L09T4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

種類:場效應管 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PHP165NQ08T

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS3207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH75D-060S，1MBH75D-090 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

品牌:ST/意法 | 型號:STW75N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TOI-247 | 應用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4368 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP6679GH | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:L/功率放大，L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝，SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道，GE-N-FET鍺N溝道 | 電壓:-30V | 電流:-75A

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFU024N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NIKOS | 型號:P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI) | 屬性:屬性值

品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si1032R-T1-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SC-75A | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD75N08T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷