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- 場效應(yīng)管IRF740/IRF830/IRF840/IRF820
  
  品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號(hào):IRF740 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf740場效應(yīng)管 irf840場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- IRF830 IR場效應(yīng)管 N溝道功率MOS管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道m(xù)os管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- IR，仙童場效應(yīng)管IRF840，IRF830
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF840，IRF830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道場效應(yīng)管仙童場效應(yīng)管 irf840場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF830，IRF840，IRF740，IRF730
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF830，IRF840，IRF740，IRF730 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童場效應(yīng)管 irf740場效應(yīng)管 irf840場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- IRF830 場效應(yīng)管 mos
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 830場效應(yīng)管 mos場效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.00
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- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRF830
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:4.5 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):+- | 極間電容:+- | 最大耗散功率:100 | 低頻跨導(dǎo):+-
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管大電流mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管 IRF540.IRF630.IRF640.IRF830.IRF840
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF830N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 關(guān)斷速度:普通 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:塑料封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf630場效應(yīng)管 irf540場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF830 /IRF630/IRF730
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf630場效應(yīng)管 irf730場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- IRF830大電流mos管場效應(yīng)管
  
  品牌:TOS | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管大電流mos管
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥1.25
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.24
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRPF460 IRF630 IRF730 IRF830 進(jìn)口IR
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 低頻噪聲系數(shù):28 | 極間電容:0.2
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場效應(yīng)管 irf630場效應(yīng)管 irf730場效應(yīng)管
- 5000-9999 個(gè)
  
  ￥3.80
- 10000-49999 個(gè)
  
  ￥3.70
- ≥50000 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF830,IRF840
  
  種類:場效應(yīng)管 | 品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):IRF830
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：拆機(jī)電子元器件電子拆機(jī) irf840場效應(yīng)管
- ≥50 PCS
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF830.IRF730.IRF530.IRF540.IRF630
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):拆機(jī)場效應(yīng)管IRF830.IRF730.IRF630.IRF530 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | ?:?
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：拆機(jī)mos irf630拆機(jī) irf630場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.18
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- 場效應(yīng)管IRF630.IRF640.IRF730.IRF740..IRF830.IRF840
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):拆機(jī)場效應(yīng)管供應(yīng)IRF840.IRF830.IRF740.IRF730.IRTF640.IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | ?:?
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道場效應(yīng)管 irf640拆機(jī) irf630拆機(jī)
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢價(jià)