品牌:進口拆機 | 型號:IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:+- | 跨導:- | 開啟電壓:+- | 夾斷電壓:+- | 低頻噪聲系數:+- | 極間電容:+- | 最大耗散功率:+-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 低頻噪聲系數:28 | 極間電容:0.2

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:拆機場效應管IRF730 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740.IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730 IRF730N IRF740 IRF740N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740，IRF730，IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 最大漏極電流:010 | 跨導:0 | 開啟電壓:01 | 夾斷電壓:010 | 低頻噪聲系數:010 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:01

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

類型:其他IC | 品牌:IR/VISHAY | 型號:IRF730 | 功率:參考規(guī)格書 | 用途:CC/恒流 | 封裝:TO-220 | 批號:NEW

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:10 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:10

品牌:長電 | 型號:IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5500 | 跨導:詳見規(guī)格書 | 開啟電壓:400 | 夾斷電壓:詳見規(guī)格書 | 低頻噪聲系數:詳見規(guī)格書 | 極間電容:詳見規(guī)格書 | 最大耗散功率:詳見規(guī)格書

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF730PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730B 場效應管 現貨新品 | 溝道類型:其他 | 類型:存儲器 | 批號:2010 | 封裝:TO220

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF730PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1