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- 三極管2SC3714/C3714
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SD1313，2SD1314 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 針腳數(shù):3
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥3.80
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管k369612A500V
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):P12NM50/K3469/K3696 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.46
- 詢價(jià)
- 大電流MOS場(chǎng)效應(yīng)管IRFB3207Z
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.98
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 FS10KM14
  
  品牌:MITSUBISHI/三菱 | 型號(hào):FS10KM14 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 大電流MOS場(chǎng)效應(yīng)管IRL7833
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFB11N50A 11N50
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB11N50A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 K2647 進(jìn)口儀器
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K2647 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 STP6NB50 6N50
  
  品牌:Mistral德意 | 型號(hào):P6NB50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管STP5NK80 5N80
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):P5NK80 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 K11A60
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K11A60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 FS3KM16
  
  品牌:MITSUBISHI/三菱 | 型號(hào):FS3KM16 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- FQA55N25 件場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA55N25 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥1.70
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 STP10NC50FP 10N50
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):P10NC50FP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFB9N60A
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB9N60A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 K538 mos管K538、mos管
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K538 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 76145P
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):76145P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK3505 K3505
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K3505 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 K15A60
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K15A60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 K5A50
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K5A50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 IPA086N10
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):086N10N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)

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