參數(shù)資料
型號(hào)： BSH120T
英文描述： Automotive Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 2.2AI（四）|到92
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大小： 357K
代理商： BSH120T
Philips Semiconductors
BSH120T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 06 September 2000
8 of 13
9397 750 07451
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 13. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 2.3 A; V
DS
= 15 V
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ad16
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25oC
150oC
V
GS
= 0 V
03ad18
0
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7
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Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 2.3A
T
j
= 25oC
V
DS
= 15 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH204 Automotive Rectifier Diodes
BSK-1 Automotive Rectifier Diodes
BSM05GD100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 5A I(C)
BSM100GAL100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB170DLC IGBT Module
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參數(shù)描述
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