型號(hào): | BSH120T |
英文描述: | Automotive Rectifier Diodes |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五(巴西)直| 2.2AI(四)|到92 |
文件頁(yè)數(shù): | 7/13頁(yè) |
文件大?。?/td> | 357K |
代理商: | BSH120T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSH204 | Automotive Rectifier Diodes |
BSK-1 | Automotive Rectifier Diodes |
BSM05GD100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 5A I(C) |
BSM100GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
BSM100GB170DLC | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSH121 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
BSH121 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSH121,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSH121135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 300MA SOT323 |
BSH14-D | 功能描述:端子 Butt Splice, Heat Shrink, 16-14 AWG RoHS:否 制造商:AVX 產(chǎn)品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 線規(guī):26-18 接線柱/接頭大小: 絕緣: 顏色:Red 型式:Female 觸點(diǎn)電鍍:Tin over Nickel 觸點(diǎn)材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接類(lèi)型:Crimp |