參數(shù)資料
型號(hào)： BSH120T
英文描述： Automotive Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 2.2AI（四）|到92
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
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代理商： BSH120T
Philips Semiconductors
BSH120T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 06 September 2000
3 of 13
9397 750 07451
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of ambient temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of ambient temperature.
T
amb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; drain and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa11
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Pder
(%)
Tamb (oC)
03aa19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
175
Ider
(%)
Tamb (oC)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ac50
10-2
10-1
1
10
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 100 μs
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH204 Automotive Rectifier Diodes
BSK-1 Automotive Rectifier Diodes
BSM05GD100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 5A I(C)
BSM100GAL100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB170DLC IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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