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參數(shù)資料
| 型號： | BQ2083 |
| 英文描述： | Silicon Bridge Rectifiers |
| 中文描述： | 銀紫荊星章符合電量監(jiān)測計(jì)芯片的使用與BQ29311 |
| 文件頁數(shù)： | 42/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | BQ2083 |
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SLUS573 JULY 2003
www.ti.com
42
Table 13. Data Flash Memory Map (Continued)
DATA FLASH ADDRESS
HIGH BYTE
0xac
NAME
LI-ION EXAMPLE
DATA
LOW BYTE
0xad
MSB
00
LSB
00
TS Const 5
0xae
0xaf
Reserved
0f
ac
0xb0
Reserved
32
0xb1
AFE Brnout Shutdn
Shutdown = 6.475, Brownout = 7.975 V
00
0xb2
AFE Over Curr Dsg
140 mV
12
0xb3
AFE Over Curr Chg
70 mV
04
0xb4
AFE Over Curr Delay
Charge = 31 ms, Discharge = 31 ms
ff
0xb5
Reserved
00
0xb6
AFE Short Circ Thrsh
275 mV
61
μ
s (charge and discharge)
9750 mV
0.02
0.0001298 mAh
07
0xb7
AFE Short Circuit Delay
11
0xb8
0xb9
AFE Vref*
26
16
0xba
0xbb
Sense Resistor Gain*
3b
d0
0xbc
0xbd
CC Delta*
94
08
0xbe
0xbf
CC Delta*
b1
c0
0xc0
Reserved
fa
0xc1
0xc2
CC Offset*
1528
05
f8
0xc3
DSC Offset*
15
10
0xc4
ADC Offset*
16
11
0xc5
Temperature Offset*
0
00
0xc6
Board Offset*
0
00
0xc7
0xc8
Reserved
00
40
0xc9
0xca
Reserved
01
00
0xcb
Reserved
05
0xcc
0xcd
Version
1.2
01
20
0xce
Reserved
00
32
0xcf
0xd0
Cell Over Voltage Reset
4150 mV
10
36
0xd1
0xd2
Cell Under Voltage Reset
3000 mV
0b
b8
0xd3
0xd4
AFE Fail Limit
2 counts
00
02
0xd5
0xd6
Reserved
ff
ff
0xd7
0xd8
Cell Balance Thresh
3900 mV
0f
3c
0xd9
0xda
Cell Balance Window
100 mV
00
64
0xdb
Cell Balance Min
40 mV
28
0xdc
Cell Balance Interval
20 seconds
14
0xdd
0xde
Reserved
a5
5a
0xdf
0xd0
Reserved
7a
43
0xe1
0xe2
Reserved
20
83
0xe3
Reserved
00
0xe4
AFE Check Time
0 seconds
00
0xe5
Sleep Current Thresh
2 mA
04
0xe6
Sleep Current Time
20 seconds
14
0xe7
Sleep Time
100 seconds
64
0xe9
NOTE:Reserved locations must be set as shown. Locations marked with an * are typical calibration values that can be adjusted for maximum
accuracy. For these locations the table shows the appropriate default or initial setting.
Charger Detect Current
2 mA
02
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