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參數(shù)資料
| 型號： | BQ2083 |
| 英文描述： | Silicon Bridge Rectifiers |
| 中文描述： | 銀紫荊星章符合電量監(jiān)測計(jì)芯片的使用與BQ29311 |
| 文件頁數(shù)： | 40/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | BQ2083 |
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SLUS573 JULY 2003
www.ti.com
40
Table 13. Data Flash Memory Map (Continued)
DATA FLASH ADDRESS
HIGH BYTE
0x31
NAME
LI-ION EXAMPLE
DATA
LOW BYTE
0x32
MSB
0e
LSB
10
Design Capacity
3600 mAh
0x33
0x34
Reserved
0
00
00
0x35
0x36
Last Measured Discharge
3600 mAh
0e
10
0x37
0x38
Cycle Count Threshold
2880 mAh
0b
40
0x39
0x3a
Charging Voltage
12600 mV
31
38
0x3b
0x3c
Precharge Voltage
8000 mV
1f
40
0x3d
0x3e
Fast-Charging Current
2500 mA
09
c4
0x3f
0x40
Maintenance Charging Current
0 mA
00
00
0x41
0x42
Precharge Current
100 mA
9.6
°
C
00
64
0x43
Precharge Temp
60
0x44
Reserved
1e
0x45
Reserved
00
0x46
Fast Charge Termination %
100%
ff
0x47
Fully Charged Clear %
95%
5f
0x48
0x49
Current Taper Threshold
240 mA
00
f0
0x4a
0x4b
Current Taper Qual Voltage
100 mV
00
64
0x4c
Reserved
28
0x4d
Reserved
40
0x4e
0x4f
Maximum Overcharge
300 mAh
01
2c
0x50
Reserved
02
0x51
Charge Efficiency
100%
ff
0x52
Reserved
64
0x53
0x54
MaxTemperature
54.6
°
C
5
°
C
02
22
0x55
Temperature Hysteresis
32
0x56
0x57
Reserved
01
ae
0x58
0x59
Overload Current
5000 mA
13
88
0x5a
0x5b
Over Voltage Margin
208 mV
00
d0
0x5c
0x5d
Overcurrent Margin
500 mA
01
f4
0x5e
0x5f
Reserved
01
00
0x60
0x61
Cell Over Voltage
4350 mV
10
fe
0x62
0x63
Cell Under Voltage
2300 mV
08
fc
0x64
0x65
Terminate Voltage
8500 mV
21
34
0x66
0x67
Reserved
00
00
0x68
0x69
Safety Over Voltage
20000 mV
70
°
C
4e
20
0x6a
0x6b
Safety Over Temperature
02
bc
0x6c
Reserved
ef
0x6d
Reserved
03
0x6e
0x6f
VOC75
11890 mV
2e
72
0x70
Reserved
bf
0x71
NOTE:Reserved locations must be set as shown. Locations marked with an * are typical calibration values that can be adjusted for maximum
accuracy. For these locations the table shows the appropriate default or initial setting.
Reserved
56
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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