參數(shù)資料
型號(hào)： BLF861
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-540A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： BLF861
1999 Aug 26
9
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power LDMOS transistor
BLF861
Fig.10 Power gain and drain efficiency as functions
of frequency; typical values.
T
h
= 25
°
C; V
CE
= 32V; I
DQ
= 1.15A; PAL BG signal (TV);
Sync compression: input 33 %, output 27 %;
measured in broadband testcircuit.
0
4
8
12
16
400
500
600
700
800
f (MHz)
900
G
P
(dB)
0
20
40
60
80
η
D
(%)
G
P
η
D
Fig.11 Peak envelope sync power as a function of
frequency; typical values.
T
h
= 25
°
C; V
CE
= 32V; I
DQ
= 1.15A; PAL BG signal (TV);
Sync compression: input 33 %, output 27 %;
measured in broadband testcircuit.
0
50
100
150
200
250
400
500
600
700
800
900
f (MHz)
P
o sync
(W)
Fig.12 Power gain and drain efficiency as functions
of frequency; typical values.
T
= 25
°
C; V
= 32V; I
= 1.15 A; CW class-AB; P
L
= 150 W
measured in broadband testcircuit.
0
4
8
12
16
400
500
600
700
800
f (MHz)
900
G
P
(dB)
0
20
40
60
80
η
D
(%)
G
P
η
D
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BLF871,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 89V 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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