參數(shù)資料
型號(hào)： BLF861
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-540A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 167K
代理商： BLF861
1999 Aug 26
8
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power LDMOS transistor
BLF861
8
95 mm
95 mm
B
+Vs
+Vbias
C9
C6
C3
R2
R4
R3
C18
B1
B2
L19
C20
C21
C22
L18
R7
C8
C4
C5
C17
C16
C1
C2
C7
R5
R6
C19
R1
C14
C24
C26
C25
C23
C15
C13
C12
C10
C11
Fig.9 Printed-circuit board and component layout for the class-AB broadband testcircuit.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the Rogers 5880 printed circuit board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
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參數(shù)描述
BLF861A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF861A,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS 150W UHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF861A112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF871 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W, HF-1GHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF871,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 89V 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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