參數(shù)資料
      型號: BLT61
      廠商: NXP SEMICONDUCTORS
      元件分類: 小信號晶體管
      英文描述: UHF power transistor
      中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AA
      封裝: MS-012AA, 8 PIN
      文件頁數(shù): 1/8頁
      文件大小: 55K
      代理商: BLT61
      DATA SHEET
      Preliminary specification
      Supersedes data of 1996 Feb 05
      1998 Jan 28
      DISCRETE SEMICONDUCTORS
      BLT61
      UHF power transistor
      M3D315
      相關(guān)PDF資料
      PDF描述
      BLT82 UHF power transistor
      BLT94 UHF power transistor
      BLU86 UHF power transistor
      BLU97 UHF power transistor
      BLU99 UHF power transistor
      相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
      參數(shù)描述
      BLT62 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF
      BLT70 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
      BLT70 T/R 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
      BLT70,115 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
      BLT71 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor