參數(shù)資料
型號(hào)： BLF861
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-540A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 167K
代理商： BLF861
DATA SHEET
Preliminary specification
1999 Aug 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLF861
UHF power LDMOS transistor
M3D392
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PDF描述
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參數(shù)描述
BLF861A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF861A,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS 150W UHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF861A112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF871 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W, HF-1GHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF871,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 89V 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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