參數(shù)資料
型號： BLF861
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-540A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 167K
代理商： BLF861
1999 Aug 26
5
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power LDMOS transistor
BLF861
Fig.5
Power gain and drain efficiency as functions
of peak envelope load power; typical values.
T
= 25
°
C; V
= 32V; I
= 1.15 A;
2-tone: f
= 860 MHz (
6 dB); f
2
= 860.1 MHz (
6 dB)
measured in 860 MHz testcircuit.
0
4
8
12
16
0
100
200
300
P
L
(PEP) (W)
G
P
(dB)
0
20
40
60
80
η
D
(%)
G
P
η
D
-80
-60
-40
-20
0
0
100
200
300
P
L
(PEP) (W)
d
im
(dB)
d
3
d
5
Fig.6
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope output power; typical values.
T
h
= 25
°
C; V
DS
= 32 V; I
DQ
= 1.15 A;
2-tone: f
= 860 MHz (
6 dB); f
2
= 860.1 MHz (
6 dB)
measured in 860 MHz testcircuit.
Fig.7
Power gain and drain efficiency as functions
of load power; typical values.
T
= 25
°
C; V
= 32 V; ; I
= 1.15 A; CW, class-AB; f = 860 MHz;
measured in 860 MHz testcircuit.
0
4
8
12
16
0
50
100
150
200
P
L
(W)
G
P
(dB)
0
20
40
60
80
η
D
(%)
G
P
η
D
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