參數(shù)資料
型號(hào)： BLF861
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-540A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： BLF861
1999 Aug 26
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power LDMOS transistor
BLF861
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; per section; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
mb
= 25
°
C; P
tot
= 318 W
VALUE
UNIT
R
th j-mb
R
th mb-h
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from mounting base to heatsink
0.55
0.2
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
4
160
84
42
6
MAX.
5
10
100
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DSon
C
is
C
os
C
rs
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
drain cut-off current
gate leakage current
forward transconductance
drain-source on-state resistance
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
V
GS
= 0; I
D
= 1.5 mA
V
DS
= 10 V; I
D
= 150 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 32 V
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
=
±
15 V; V
DS
= 0
V
DS
= 10 V; I
D
= 4 A
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; I
D
= 4 A
V
GS
= 0; V
DS
= 32 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 32 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 32 V; f = 1 MHz
65
4
18
V
V
μ
A
A
nA
S
m
pF
pF
pF
Fig.2
Output capacitance as a function of drain-
source voltage; typical values per section.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
V
DS
(V)
C
OS
(pF)
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