參數(shù)資料
型號： BLF276
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power MOS transistor
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, PILL PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： BLF276
December 1997
5
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power MOS transistor
BLF276
Fig.6
Drain-source on-state resistance as a
function of junction temperature, typical
values.
I
D
= 3 A; V
GS
= 10 V.
handbook, halfpage
RDS (on)
(
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
20
40
60
80
100
Tj (
°
C)
120
140
MRA944
Fig.7
Input and output capacitance as functions
of drain-source voltage, typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0
100
200
300
400
500
0
10
20
30
VDS (V)
Cis
Cos
40
50
MRA934
Fig.8
Feedback capacitance as a function of
drain-source voltage, typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0
10
20
30
40
0
10
20
30
VDS (V)
40
50
MRA935
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