參數(shù)資料
型號(hào)： BLF276
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power MOS transistor
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, PILL PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： BLF276
December 1997
3
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power MOS transistor
BLF276
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
±
V
GS
I
D
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
DC drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
65
110
20
9
150
150
200
V
V
A
W
°
C
°
C
up to T
mb
= 25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
P
tot
= 150 W; T
mb
= 25
°
C
THERMAL RESISTANCE
R
th j-mb
thermal resistance from junction to
mounting base
max. 1.17 K/W
Fig.2 DC SOAR.
(1) Current is this area may be limited by R
DS(on)
.
(2) T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
1
1
ID
(A)
1
10
VDS (V)
10
2
10
3
(1)
MRA936
(2)
Fig.3 Power/temperature derating curves.
(1) Continuous operation.
(2) Short-time operation during mismatch.
handbook, halfpage
(W)
0
40
80
120
160
200
0
20
40
60
80
100
Tmb (
°
C)
120
140
(1)
(2)
MRA943
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