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參數(shù)資料
| 型號： | BLF277 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80% |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, FM-6 |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | BLF277 |
DATA SHEET
Product specification
September 1992
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLF277
VHF power MOS transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLF348 | ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80% |
| BLF861 | UHF power LDMOS transistor |
| BLT53 | UHF power transistor |
| BLT61 | UHF power transistor |
| BLT82 | UHF power transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLF278 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF278,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF DMOS 250W VHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF278/01,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANSISTOR VHF PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF278112 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH VHF PUSH / PULL POWER VDMOS 50V 1 |
| BLF278C,112 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5-Pin CDFM Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BULK TNS-RFPR - Rail/Tube |
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