參數(shù)資料
型號： BLF276
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power MOS transistor
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, PILL PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： BLF276
December 1997
11
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power MOS transistor
BLF276
Fig.13 Input impedance as a function of frequency
(series components), typical values.
Class-B operation; V
= 50 V; I
DQ
= 50 mA;
R
GS
= 9.1
; P
L
= 100 W.
handbook, halfpage
(
)
0
2
4
6
2
4
6
0
50
100
150
200
250
f (MHz)
MRA939
ri
xi
Fig.14 Load impedance as a function of frequency
(series components), typical values.
Class-B operation; V
= 50 V; I
DQ
= 50 mA;
R
GS
= 9.1
; P
L
= 100 W.
handbook, halfpage
0
4
8
12
0
50
100
ZL
(
)
RL
150
200
250
f (MHz)
MRA941
XL
Fig.15 Definition of MOS impedance.
handbook, halfpage
MBA379
Zi
ZL
Fig.16 Power gain as a function of frequency,
typical values.
Class-B operation; V
= 50 V; I
DQ
= 50 mA;
R
GS
= 9.1
; P
L
= 100 W.
handbook, halfpage
0
10
20
0
50
100
150
200
250
gain
(dB)
f (MHz)
MRA938
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