參數(shù)資料
型號: BCR3AS-12
英文描述: Thyristor Product Catalog
中文描述: 晶閘管產(chǎn)品目錄
文件頁數(shù): 58/224頁
文件大?。?/td> 2697K
代理商: BCR3AS-12
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁當(dāng)前第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
Sensitive SCRs
Data Sheets
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E5 - 4
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Specific Test Conditions
di/dt
— Maximum rate-of-change of on-state current; I
GT
= 50 mA pulse
width
15 μsec with
0.1 μs rise time
dv/dt
— Critical rate-of-rise of forward off-state voltage
I
2
t
— RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
I
DRM
and
I
RRM
— Peak off-state current at V
DRM
and V
RRM
I
GT
— DC gate trigger current V
D
= 6 V dc; R
L
= 100
I
GM
— Peak gate current
I
H
— DC holding current; initial on-state current = 20 mA
I
T
— Maximum on-state current
I
TSM
— Peak one-cycle forward surge current
P
G(AV)
— Average gate power dissipation
P
GM
— Peak gate power dissipation
t
gt
— Gate controlled turn-on time gate pulse = 10 mA; minimum
width = 15 μS with rise time
0.1 μs
t
q
— Circuit commutated turn-off time
V
DRM
and
V
RRM
— Repetitive peak off-state forward and reverse voltage
V
GRM
— Peak reverse gate voltage
V
GT
— DC gate trigger voltage; V
D
= 6 V dc; R
L
= 100
V
TM
— Peak on-state voltage
General Notes
Teccor 2N5064 and 2N6565 Series devices conform to all JEDEC
registered data. See specifications table on pages E5 - 2 and
E5 - 3.
The case lead temperature (
T
C
or T
L
) is measured as shown on
dimensional outline drawings in the “Package Dimensions” section
of this catalog.
All measurements (except I
GT
) are made with an external resistor
R
GK
= 1 k
unless otherwise noted.
All measurements are made at 60 Hz with a resistive load at an
ambient temperature of +25 °C unless otherwise specified.
Operating temperature (T
J
) is -65 °C to +110 °C for EC Series
devices, -65 °C to +125 °C for 2N Series devices, -40 °C to
+125 °C for “TCR” Series, and -40 °C to +110 °C for all others.
Storage temperature range (T
S
) is -65 °C to +150 °C for TO-92
devices, -40 °C to +150 °C for TO-202 and Compak devices, and
-40 °C to +125 °C for all others.
Lead solder temperature is a maximum of +230 °C for 10 seconds
maximum
1/16" (1.59 mm) from case.
TYPE
Part Number
I
T
(1)
V
DRM
&
V
RRM
I
GT
I
DRM
&
I
RRM
(20) (21)
V
TM
(3) (10)
Isolated
Non-isolated
TO-220
TO-202
TO-251
V-Pak
TO-252
D-Pak
Amps
Volts
MIN
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
(2) (12)
μAmps
MAX
200
200
200
500
500
500
200
200
200
500
500
500
200
200
200
500
500
500
μAmps
Volts
MAX
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
See “Package Dimensions” section for variations. (11)
S2006LS2
S2006FS21
S4006LS2
S4006FS21
S6006LS2
S6006FS21
S2006LS3
S2006FS31
S4006LS3
S4006FS31
S6006LS3
S6006FS31
S2008LS2
S2008FS21
S4008LS2
S4008FS21
S6008LS2
S6008FS21
S2008LS3
S2008FS31
S4008LS3
S4008FS31
S6008LS3
S6008FS31
S2010LS2
S2010FS21
S4010LS2
S4010FS21
S6010LS2
S6010FS21
S2010LS3
S2010FS31
S4010LS3
S4010FS31
S6010LS3
S6010FS31
I
T(RMS)
MAX
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
10
10
I
T(AV)
MAX
3.8
3.8
3.8
3.8
3.8
3.8
5.1
5.1
5.1
5.1
5.1
5.1
6.4
6.4
6.4
6.4
6.4
6.4
T
C
=
25 °C
MAX
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
T
C
=
110 °C
MAX
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
6 A
S2006VS2
S4006VS2
S6006VS2
S2006VS3
S4006VS3
S6006VS3
S2008VS2
S4008VS2
S6008VS2
S2008VS3
S4008VS3
S6008VS3
S2010VS2
S4010VS2
S6010VS2
S2010VS3
S4010VS3
S6010VS3
S2006DS2
S4006DS2
S6006DS2
S2006DS3
S4006DS3
S6006DS3
S2008DS2
S4008DS2
S6008DS2
S2008DS3
S4008DS3
S6008DS3
S2010DS2
S4010DS2
S6010DS2
S2010DS3
S4010DS3
S6010DS3
8 A
10 A
K
A
G
K
A
G
A
A
A
G
K
A
A
K
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCR3AS-8 Thyristor Product Catalog
BCR3KM14L TRIAC|700V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220AB
BCR3KM14R TRIAC|700V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220AB
BCR3KM8 TRIAC|400V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220AB
BCR3KM-8 BCR3KM-8 BCR3KM-12 Datasheet 382K/MAR.20.03
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCR3AS-12A 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Triac Low Power Use
BCR3AS-12A(A1#B02) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Thyristor TRIAC 600V 30A 3-Pin(2+Tab) MP-3 Tube
BCR3AS-12A-A1 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Triac Low Power Use
BCR3AS-12A-A1#B02 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray
BCR3AS-12A-A1B02 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Triac,600V,3A,MP-3A