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參數(shù)資料
| 型號： | AT91SAM9XE512-QU |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 5/159頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU ARM9 512K FLASH 208-PQFP |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | MCU Product Line Introduction |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 24 |
| 系列： | SAM9XE |
| 核心處理器： | ARM9 |
| 芯體尺寸： | 16/32-位 |
| 速度： | 180MHz |
| 連通性： | EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，SPI，SSC，UART/USART，USB |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 96 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 512KB（512K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 56K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 4x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 208-MQFP，208-PQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 配用： | AT91SAM9XE-EK-ND - KIT EVAL FOR AT91SAM9XE AT91SAM-ICE-ND - EMULATOR FOR AT91 ARM7/ARM9 |
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PIC16F62X
DS40300C-page 100
Preliminary
2003 Microchip Technology Inc.
FIGURE 14-11:
EXTERNAL POWER-ON
RESET CIRCUIT (FOR
SLOW VDD POWER-UP)
FIGURE 14-12:
EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 1
FIGURE 14-13:
EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 2
Note
1: External Power-on Reset circuit is required
only if V
DD power-up slope is too slow. The
diode D helps discharge the capacitor
quickly when V
DD powers down.
2: R < 40 k
is recommended to make sure
that voltage drop across R does not violate
the device’s electrical specification.
3: R1 = 100
to 1 k will limit any current
flowing into MCLR from external capacitor
C in the event of MCLR/V
PP pin breakdown
due to Electrostatic Discharge (ESD) or
Electrical Overstress (EOS).
C
R1
R
D
V
DD
MCLR
PIC16F62X
V
DD
Note
1: This circuit will activate RESET when V
DD
goes below (Vz + 0.7V) where Vz = Zener
voltage.
2: Internal Brown-out Detect Reset circuitry
should be disabled when using this circuit.
V
DD
33k
10k
40k
V
DD
MCLR
PIC16F62X
Vdd x
R1
R1 + R2
= 0.7 V
V
DD
R2
40k
V
DD
MCLR
PIC16F62X
R1
Q1
Note
1:
This Brown-out Circuit is less expensive, albeit
less accurate. Transistor Q1 turns off when V
DD is
below a certain level such that:
2:
Internal Brown-out Detect Reset should be
disabled when using this circuit.
3:
Resistors should be adjusted for the
characteristics of the transistor.
V
DD x
R1
R1 + R2
= 0.7V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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