參數(shù)資料
型號(hào)： AT91SAM9XE512-QU
廠商： Atmel
文件頁數(shù)： 43/159頁
文件大小： 0K
描述： MCU ARM9 512K FLASH 208-PQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MCU Product Line Introduction
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 24
系列： SAM9XE
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 16/32-位
速度： 180MHz
連通性： EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，SPI，SSC，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 96
程序存儲(chǔ)器容量： 512KB（512K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 56K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.65 V ~ 1.95 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 208-MQFP，208-PQFP
包裝： 托盤
配用： AT91SAM9XE-EK-ND - KIT EVAL FOR AT91SAM9XE
AT91SAM-ICE-ND - EMULATOR FOR AT91 ARM7/ARM9
2003 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS40300C-page 135
PIC16F62X
TABLE 17-3:
DC CHARACTERISTICS: PIC16F62X, PIC16LF62X
17.4
Timing Diagrams and Specifications
FIGURE 17-6:
EXTERNAL CLOCK TIMING
DC Characteristics
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Parameter
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Data EEPROM Memory
D120
D121
D122
E
D
V
DRW
T
DEW
Endurance
V
DD for read/write
Erase/Write cycle time
1M*
V
MIN
—
10M
—
4
—
5.5
8*
E/W
V
ms
25
°C at 5V
V
MIN = Minimum operating
voltage
Program FLASH Memory
D130
D131
D132
D133
E
P
V
PR
V
PEW
T
PEW
Endurance
V
DD for read
V
DD for erase/write
Erase/Write cycle time
1000*
Vmin
4.5
—
10000
—
4
—
5.5
8*
E/W
V
ms
V
MIN = Minimum operating
voltage
* These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25
°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance only
and are not tested.
OSC1
CLKOUT
Q4
Q1
Q2
Q3
Q4
Q1
13
3
44
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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