參數(shù)資料
型號： AT49BN1604
廠商： Atmel Corp.
英文描述： 16-megabit Burst Mode 3-volt Only Flash Memory(16M位 3V猝發(fā)模式閃速存儲器)
中文描述： 16兆位突發(fā)模式3伏，只有閃存（1,600位3V的猝發(fā)模式閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 15/19頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： AT49BN1604
AT49BN1604(T)
15
Program Cycle Waveforms
Sector or Chip Erase Cycle Waveforms
Notes:
1.
2.
OE must be high only when WE and CE are both low.
For chip erase, the address should be 5555. For sector erase, the address depends on what sector is to be erased.
(See note 3 under command definitions.)
For chip erase, the data should be XX10H, and for sector erase, the data should be XX30H.
3.
Program Cycle Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
BP
t
AS
t
AHAV
t
DS
t
DH
t
WP
t
WPH
t
SEC1
t
SEC2
t
EC
Word Programming Time
30
50
μ
s
Address Set-up Time
15
ns
Address Hold Time
10
ns
Data Set-up Time
15
ns
Data Hold Time
0
ns
Write Pulse Width
100
ns
Write Pulse Width High
50
ns
Sector Erase Cycle Time (4K word sectors)
100
ms
Sector Erase Cycle Time (32K word sectors)
500
ms
Chip Erase Cycle Time
10
seconds
INPUT
DATA
XXAA
CE
WE
I/O0 -I/O15
XX55
XXA0
A0 -A19
AVD
ADDR
5555
2AAA
5555
OE
(1)
CLK
OE
(1)
XXAA
XXAA
CE
WE
I/O0 -I/O15
XX55
XX80
A0 -A19
AVD
5555
5555
2AAA
5555
XX55
Note3
2AAA
Note2
CLK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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