參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC8M8S0-10TC
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 5/24頁(yè)
文件大?。?/td> 566K
代理商： AS4LC8M8S0-10TC
AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
5
Mode register fields
RFU = 0 during MRS cycle.
Register programmed with MRS
A9
A8
WBL
TM
Address
Function
A11~A10
RFU
A7
A6
A5
A4
A3
BT
A2
A1
A0
CAS latency
Burst length
Write burst length
A9
Burst type
Length
A3
0
1
Type
0
Programmed
burst length
Sequential
Interleaved
1
Single burst
Test mode
A8
0
0
1
A7
0
1
0
1
Type
Mode register set
Reserved
Reserved
Reserved
1
CAS latency
A4
0
1
0
1
X
Burst length
A0
A6
0
0
0
0
1
A5
0
0
1
1
X
Latency
Reserved
Reserved
2
3
Reserved
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
BT = 0
1
2
4
8
Reserved
Reserved
Reserved
Full page
BT = 1
1
2
4
8
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
0
1
0
1
0
1
0
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC8M8S0-75TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
AS4LC8M8S0-8TC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
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AS4LC4M4E1 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）系列)
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參數(shù)描述
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