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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4LC8M8S0-10TC |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 15/24頁 |
| 文件大小： | 566K |
| 代理商： | AS4LC8M8S0-10TC |
AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
15
Clock suspension write waveforms
(BL = 8)
Read/write interrupt timing
read interrupted by read (CL = 2, BL = 4)
t
CCD
= CAS to CAS delay (= 1 CLK)
CLK external
CLK internal
CKE
DQM
DQ
D
1
D
2
D
3
DQM Mask
D
5
D
6
CKE Mask
CLK external
CLK internal
CKE
DQM
DQ
DQM Mask
CKE Mask
D
1
D
2
D
3
D
5
D
6
CLK external
CLK internal
CKE
DQM
DQ
D
1
D
2
D
3
D
4
D
6
D
5
CLK
CMD
ADD
DQ (CL2)
DQ (CL3)
Read data
Read data
A
B
QA
0
QB
0
QB
1
QB
2
QB
3
QA
0
QB
0
QB
1
QB
2
QB
3
t
CCD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC8M8S0-75TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4LC8M8S0-8TC | 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4LC4M4E0 | 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）系列) |
| AS4LC4M4E1 | 4M × 4 CMOS DRAM (EDO) Family(4M × 4 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）系列) |
| AS5020 | 6-BIT MAGNETIC ANGULAR POSITION ENCODER WITH SERIAL INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC8M8S0-75TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4LC8M8S0-8TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM |
| AS4PD | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Standard Avalanche Surface Mount Rectifiers |
| AS-4PD | 制造商:RALTRON 制造商全稱:RALTRON 功能描述:SURFACE MOUNT MICROPROCESSOR CRYSTAL |
| AS4PDHM3/86A | 功能描述:整流器 4A 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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