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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4C4M4F0 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）) |
| 中文描述： | 5V的4米× 4的CMOS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 412K |
| 代理商： | AS4C4M4F0 |
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Symbol
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Parameter
Write command setup time
Write command hold time
Write command pulse width
Write command to RAS lead time
Write command to CAS lead time
Data-in setup time
Data-in hold time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
11
11
Min
0
10
10
10
8
0
8
Max
–
–
–
–
–
–
–
Min
0
10
10
10
10
0
10
Max
–
–
–
–
–
–
–
12
12
Symbol
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Parameter
Read-write cycle time
RAS to WE delay time
CAS to WE delay time
Column address to WE delay time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
113
67
32
42
Max
–
–
–
–
Min
135
77
35
47
Max
–
–
–
–
11
11
11
Symbol
t
CSR
t
CHR
t
RPC
Parameter
CAS setup time (CAS-before-RAS)
CAS hold time (CAS-before-RAS)
RAS precharge to CAS hold time
CAS precharge time
(CBR counter test)
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
Notes
3
3
Min
5
8
0
Max
–
–
–
Min
5
10
0
Max
–
–
–
t
CPT
10
10
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F1 | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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