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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4C4M4F0 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）) |
| 中文描述： | 5V的4米× 4的CMOS的DRAM（快速頁(yè)面模式）（5V的4米× 4的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/18頁(yè) |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | AS4C4M4F0 |
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5HFRPPHQGHGRSHUDWLQJFRQGLWLRQV
Parameter
V
IL
min -3.0V for pulse widths less than 5 ns. Recommended operating conditions apply throughout this document unlesss otherwise specified.
Symbol
V
CC
GND
V
IH
V
IL
Min
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
-40
Nominal
5.0
0.0
–
–
–
–
Max
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
Unit
V
V
V
V
Supply voltage
Input voltage
Ambient operating temperature
Commercial
Industrial
T
A
°C
RAS clock
generator
R
c
2048 × 2048 × 4
Array
(16,777,216)
Sense amp
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
V
CC
GND
A
R
Column decoder
Substrate bias
generator
Data
I/O
buffers
OE
RAS
CAS
WE clock
generator
WE
I/O0 to I/O3
CAS clock
generator
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F1 | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）) |
| AS4C4M4F1Q | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）) |
| AS4C4M4FOQ | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）) |
| AS4LC1M16E5 | 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線)) |
| AS4LC1M16S1 | 3.3V 1M × 16 CMOS Synchronous DRAM(3.3V 1M × 16 CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F0-50 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode) |
| AS4C4M4F0-50JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F0-50JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F0-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F0-50TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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