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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C4M4EOQ |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 4米× 4的CMOS QuadCAS的DRAM（江戶）家庭（4米× 4的CMOS QuadCAS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 384K |
| 代理商： | AS4C4M4EOQ |
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Symbol Parameter
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RC
Random read or write cycle time
t
RP
RAS precharge time
t
RAS
RAS pulse width
t
CAS
CAS pulse width
t
RCD
RAS to CAS delay time
t
RAD
RAS to column address delay time
t
RSH
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t
CSH
RAS to CAS hold time
t
CRP
CAS to RAS precharge time
t
ASR
Row address setup time
t
RAH
Row address hold time
t
T
Transition time (rise and fall)
t
REF
Refresh period
t
CP
CAS precharge time
t
RAL
Column address to RAS lead time
t
ASC
Column address setup time
t
CAH
Column address hold time
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Unit
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Symbol Parameter
t
RAC
Access time from RAS
t
CAC
Access time from CAS
t
AA
Access time from address
t
RCS
Read command setup time
t
RCH
Read command hold time to CAS
t
RRH
Read command hold time to RAS
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F0 | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4C4M4F1 | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4C4M4F1Q | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4C4M4FOQ | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4LC1M16E5 | 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(3V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F0 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 4M x 4 CMOS DRAM (Fast Page mode) |
| AS4C4M4F0-50 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode) |
| AS4C4M4F0-50JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F0-50JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F0-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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