參數(shù)資料
型號(hào)： AO6602L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： AO6602L
AO6602
N-Channel Electrical Characteristics (T
J
=25°C unless otherwise noted)
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
100
200
300
400
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=15V
I
D
=3.1A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=90°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6603L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO6603 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6603L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6604 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V 6-TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6604L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6604L_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.4A，2.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*