參數(shù)資料
型號： AO6603L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： AO6603L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±12
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
78
106
64
Max
110
150
80
R
θ
JL
-30
1.15
0.73
±8
1.7
1.4
15
1.15
0.73
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
W
-1.8
-2.3
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Max n-channel
20
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO6603
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -30V
I
D
= 1.7 (V
GS
= 4.5V) -2.5A
R
DS(ON)
<
225m
(V
GS
= 4.5V)
< 135m
(V
GS
= -10V)
< 290m
(V
GS
= 2.5V)
< 185m
(V
GS
= 2.5V)
< 425m
(V
GS
= 1.8V)
< 265m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO6603 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AO6603 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AO6603L is a Green
Product ordering option. AO6603 and AO6603L are
electrically identical.
G1
D1
S1
G2
D2
S2
n-channel
p-channel
TSOP6
Top View
G2
S2
G1
D2
S1
D1
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6605 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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AO6701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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參數(shù)描述
AO6604 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V 6-TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6604L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6604L_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A，2.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6605 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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