參數(shù)資料
型號： AO6605L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： AO6605L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-20
±8
-2.5
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
78
106
64
Max
110
150
80
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
-55 to 150
-55 to 150
T
A
=70°C
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
20
±8
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
1.7
1.4
15
1.15
0.73
-2.0
-15
1.15
0.73
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
AO6605
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -20V
I
D
= 1.9A (V
GS
= 4.5V) -2.5A
R
DS(ON)
< 200m
< 97m
(V
GS
= 4.5V)
< 270m
< 130m
(V
GS
= 2.5V)
< 400m
< 190m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO6605 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AO6605 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications). AO6605L is a Green
Product ordering option. AO6605 and AO6605L are
electrically identical.
G1
D1
S1
G2
D2
S2
n-channel
p-channel
TSOP6
Top View
G2
S2
G1
D2
S1
D1
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6700L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6701L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6702 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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參數(shù)描述
AO6608 功能描述:MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V，20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 3.4A，10V，75 毫歐 @ 3.3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA，1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6700 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6700L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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AO6701L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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