參數(shù)資料
型號: AO6602L
廠商: ALPHA
英文描述: Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 增強模式互補場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 159K
代理商: AO6602L
AO6602
N-Channel Electrical Characteristics (T
J
=25°C unless otherwise noted)
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
3.5V
4V
6V
10V
8V
5V
0
2
4
6
8
10
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
40
50
60
70
80
90
100
110
120
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°
125°
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=3.1A
V
GS
=4.5V
I
D
=2A
0
50
100
150
200
250
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=3.1A
25°C
125°C
4.5V
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
AO6603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AO6605 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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