參數(shù)資料
型號(hào)： AO6602L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 159K
代理商： AO6602L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
78
106
64
Max
110
150
80
R
θ
JL
-12
1.15
0.73
±20
3.1
2.4
12
1.15
0.73
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
W
-2.1
-2.7
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Max n-channel
30
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO6602
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 3.1A
(V
GS
= 10V)
-2.7A
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= 10V)
< 100m
(V
GS
= -10V)
< 115m
(V
GS
= 4.5V)
< 180m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AO6602 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications). AO6602L is a Green
Product ordering option. AO6602 and AO6602L are
electrically identical.
G1
D1
S1
G2
D2
S2
n-channel
p-channel
TSOP6
Top View
G2
S2
G1
D2
S1
D1
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6603L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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