參數(shù)資料
型號(hào)： AO6603
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 285K
代理商： AO6603
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±12
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
78
106
64
Max
110
150
80
R
θ
JL
-30
1.15
0.73
±8
1.7
1.4
15
1.15
0.73
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
W
-1.8
-2.3
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Max n-channel
20
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO6603
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -30V
I
D
= 1.7 (V
GS
= 4.5V) -2.5A
R
DS(ON)
<
225m
(V
GS
= 4.5V)
< 135m
(V
GS
= -10V)
< 290m
(V
GS
= 2.5V)
< 185m
(V
GS
= 2.5V)
< 425m
(V
GS
= 1.8V)
< 265m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO6603 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AO6603 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AO6603L is a Green
Product ordering option. AO6603 and AO6603L are
electrically identical.
G1
D1
S1
G2
D2
S2
n-channel
p-channel
TSOP6
Top View
G2
S2
G1
D2
S1
D1
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6603L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AO6700L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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AO6605 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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