參數(shù)資料
型號： 2N6519
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Voltage PNP Transistor(300V高壓PNP晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2N6519
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6519 2N6520
http://onsemi.com
7
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
IS UNCONTROLLED.
4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.
DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K
MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED
IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
R
A
P
J
L
F
B
K
G
H
V
SECTION X–X
C
D
N
N
X X
SEATING
PLANE
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
MIN
0.175
0.170
0.125
0.016
0.016
0.045
0.095
0.015
0.500
0.250
0.080
---
0.115
0.135
MAX
0.205
0.210
0.165
0.022
0.019
0.055
0.105
0.020
---
---
0.105
0.100
---
---
MIN
4.45
4.32
3.18
0.41
0.41
1.15
2.42
0.39
12.70
6.35
2.04
---
2.93
3.43
MAX
5.20
5.33
4.19
0.55
0.48
1.39
2.66
0.50
---
---
2.66
2.54
---
---
MILLIMETERS
INCHES
1
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
BASE
COLLECTOR
2.
3.
CASE 029–04
(TO–226AA)
ISSUE AD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6519 PNP High Voltage Transistor(PNP型高電壓晶體管)
2N6520 PNP High Voltage Transistor(PNP型高電壓晶體管)
2N6530 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6533 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6531 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6519BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519RLRA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6519TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N651A 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*