參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6519
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Voltage PNP Transistor(300V高壓PNP晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2N6519
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6519 2N6520
http://onsemi.com
4
Figure 4. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
V
1.4
1.2
0
0.6
0.8
1.0
2N6515, 2N6517
NPN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20
-30
-50 -70
2N6519, 2N6520
PNP
Figure 5. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
2.5
2N6515, 2N6517
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20
-30
-50 -70
2N6519, 2N6520
Figure 6. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
100
70
50
2.0
3.0
5.0
2N6515, 2N6517
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
2N6519, 2N6520
C
1.0
V
0.4
0.2
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 10 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 5.0
-1.4
-1.2
0
-0.6
-0.8
-1.0
-0.4
-0.2
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= -10 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 5.0
R
θ
°
R
θ
°
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
R
θ
VC
for V
CE(sat)
R
θ
VB
for V
BE
25
°
C to 125
°
C
-55
°
C to 25
°
C
-55
°
C to 125
°
C
IC
IB
10
R
θ
VC
for V
CE(sat)
R
θ
VB
for V
BE
25
°
C to 125
°
C
-55
°
C to 25
°
C
-55
°
C to 125
°
C
IC
IB
10
C
7.0
10
20
30
-200
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
C
cb
C
eb
C
cb
C
eb
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
100
70
50
2.0
3.0
5.0
1.0
7.0
10
20
30
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PDF描述
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2N6519RLRA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6519TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N651A 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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