參數(shù)資料
型號： 2N6519
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Voltage PNP Transistor(300V高壓PNP晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2N6519
High Voltage Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6515
2N6519
2N6517
2N6520
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
250
300
350
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
250
300
350
Vdc
Emitter–Base Voltage
2N6515, 2N6516, 2N6517
2N6519, 2N6520
V
EBO
6.0
5.0
Vdc
Base Current
I
B
250
mAdc
Collector Current — Continuous
I
C
500
mAdc
Total Device Dissipation
@ T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
R
JC
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(1)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
V
(BR)CEO
250
300
350
—
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100
μ
Adc, I
E
= 0 )
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
V
(BR)CBO
250
300
350
—
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 10
μ
Adc, I
C
= 0)
2N6515, 2N6517
2N6519, 2N6520
V
(BR)EBO
6.0
5.0
—
—
Vdc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
February, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
2N6515/D
NPN
2N6515
2N6517
PNP
2N6519
2N6520
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
Voltage and current are negative
for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6519 PNP High Voltage Transistor(PNP型高電壓晶體管)
2N6520 PNP High Voltage Transistor(PNP型高電壓晶體管)
2N6530 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6533 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6531 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
2N6519BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519RLRA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6519TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N651A 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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