參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6519
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Voltage PNP Transistor(300V高壓PNP晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2N6519
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6519 2N6520
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
h
200
100
20
30
50
70
V
CE
= 10 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
2N6515
NPN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20
-30
-50 -70
h
200
100
20
30
50
70
V
CE
= -10 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
2N6519
PNP
Figure 2. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
200
100
10
20
50
70
V
CE
= 10 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
2N6517
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20
-30
-50 -70
V
CE
= -10 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
2N6520
Figure 3. Current–Gain — Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
100
20
30
50
70
2N6515, 2N6517
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20
-30
-50 -70
2N6519, 2N6520
f
T
f
T
h
h
10
100
20
30
50
70
10
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 20 V
f = 20 MHz
T
J
= 25
°
C
V
CE
= -20 V
f = 20 MHz
30
200
100
10
20
50
70
30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6519 PNP High Voltage Transistor(PNP型高電壓晶體管)
2N6520 PNP High Voltage Transistor(PNP型高電壓晶體管)
2N6530 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6533 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6531 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6519BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519RLRA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6519TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N651A 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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