參數(shù)資料
型號： 2N6519
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Voltage PNP Transistor(300V高壓PNP晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2N6519
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6519 2N6520
http://onsemi.com
6
Figure 9. Switching Time Test Circuit
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
(
R
10k
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
t, TIME (ms)
Figure 10. Thermal Response
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
I
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
200
500
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Active Region Safe Operating Area
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
DUTYCYCLE
t1f
t1
tP
PEAK PULSE POWER = P
P
T
A
= 25
°
C
1.0 ms
10
μ
s
T
C
= 25
°
C
100
μ
s
100 ms
+10.8 V
-9.2 V
+V
CC
2.2 k
20 k
50
50
SAMPLING SCOPE
1/2MSD7000
1.0 k
V
CC
ADJUSTED
FOR V
CE(off)
= 100 V
APPROXIMATELY
-1.35 V
(ADJUST FOR V
(BE)off
= 2.0 V)
PULSE WIDTH
≈
100
μ
s
t
r
, t
f
≤
5.0 ns
DUTY CYCLE
≤
1.0%
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
Z
θ
JC(t)
= r(t)
R
θ
JC
T
J(pk)
- T
C
= P
(pk)
Z
θ
JC(t)
Z
θ
JA(t)
= r(t)
R
θ
JA
T
J(pk)
- T
A
= P
(pk)
Z
θ
JA(t)
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
(PULSE CURVES @ T
C
= 25
°
C)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
CURVES APPLY
BELOW RATED V
CEO
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
PACKAGE DIMENSIONS
相關PDF資料
PDF描述
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2N6533 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
2N6531 8-AMPERE N-P-N DARLINGTON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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2N6519RLRA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6519TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6519TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N651A 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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