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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640J3C-120 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 25/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | 28F640J3C-120 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
25
NOTES:
1. CE
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. In this diagram, BYTE# is asserted high.
Figure 11. 8-word Asynchronous Page Mode Read
1
2
6
8
R10
R8
R15
R10
R5
R9
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:4] [A]
A[3:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
BYTE#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DS | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0UC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
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