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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640J3C-120 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | 28F640J3C-120 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
11
3.0
Package Information
3.1
56-Lead TSOP Package
Figure 3. 56-Lead TSOP Package Drawing and Specifications
Table 1. 56-Lead TSOP Dimension Table
Millimeters
Inches
Sym
Min
Nom
Max
Notes
Min
Nom
Max
Notes
Package Height
A
1.200
0.047
Standoff
A
1
0.050
0.002
Package Body Thickness
A
2
0.965
0.995
1.025
0.038
0.039
0.040
Lead Width
b
0.100
0.150
0.200
0.004
0.006
0.008
Lead Thickness
c
0.100
0.150
0.200
0.004
0.006
0.008
Package Body Length
D
1
18.200
18.400
18.600
4
0.717
0.724
0.732
4
Package Body Width
E
13.800
14.000
14.200
4
0.543
0.551
0.559
4
Lead Pitch
e
0.500
0.0197
Terminal Dimension
D
19.800
20.00
20.200
0.780
0.787
0.795
Lead Tip Length
L
0.500
0.600
0.700
0.020
0.024
0.028
Lead Count
N
56
56
Lead Tip Angle
0°
3°
5°
0°
3°
5°
Seating Plane Coplanarity
Y
0.100
0.004
Lead to Package Offset
Z
0.150
0.250
0.350
0.006
0.010
0.014
A
0
L
Detail A
Y
D
C
Z
Pin 1
E
D
1
b
Detail B
See Detail A
e
See Detail B
A
1
Seating
Plane
A
2
See Note 2
See Notes 1 and 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DS | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0UC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
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