參數(shù)資料
型號(hào)： 28F640J3C-120
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁(yè)數(shù)： 15/72頁(yè)
文件大小： 905K
代理商： 28F640J3C-120
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
15
4.2
56-Lead TSOP (32/64/128/256 Mbit)
NOTES:
1. A22 exists on 64-, 128- and 256-Mbit densities. On 32-Mbit densities this signal is a no-connect (NC).
2. A23 exists on 128-Mbit densities. On 32- and 64-Mbit densities this signal is a no-connect (NC).
3. A24 exists on 256-Mbit densities. On 32-, 64- and 128-Mbit densities this signal is a no-connect (NC).
4. V
CC
= 5 V ± 10% for the 28F640J5/28F320J5.
4.3
VF BGA Ballout (32 and 64 Mbit)
NOTES:
1. CE# is equivalent to CE0, and CE1 and CE2 are internally grounded.
2. A22 exists on the 64 Mb density only. On the 32-Mbit density, this signal is a no-connect (NC).
3. STS not supported in this package.
4. x8 not supported in this package.
Figure 7. Intel StrataFlash
Memory 56-Lead TSOP (32/64/128/256 Mbit)
Highlights pinout changes
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
56-Lead TSOP
Standard Pinout
14 mm x 20 mm
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
STS
DQ
15
DQ
7
OE#
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
CCQ
V
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
0
A
A
23
(2)
CE
2
A
21
A
20
A
19
A
18
CE
1
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PEN
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
A
22
(1)
32/64/128M
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
32/64/128M
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
A
24
(3)
28F320J5
NC
WE#
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
CCQ
V
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
(4)
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
0
A
NC
CE
2
28F320J5
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
NC
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
(4)
A
14
A
13
A
12
CE
0
A
15
V
PEN
RP#
28F160S3
A
20
A
19
A
18
CE
1
NC
A
17
A
16
V
CC
A
15
NC
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
28F160S3
OE#
STS
DQ
15
DQ
7
WE#
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
WP#
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
BNC
NC
Figure 8. Intel StrataFlash
Memory VF BGA Ballout (32 and 64 Mbit)
VFBGA6x8
TopVew- Ball Sde Down
2
3
4
5
6
7
8
1
A12
A9
VPEN
VCC
A20
A8
A5
A11
WE#
RP#
A19
A18
A6
A3
A13
A10
A21
A7
A4
A2
D14
D5
D11
D2
D8
CE#
D15
D6
D12
D3
D9
D0
VSS
D7
D13
D4
VCC
D10
D1
OE#
A22
A1
A14
A15
A16
A17
VCCQ
VSS
A
B
C
D
E
F
VFBGA6x8
BottomVew- Ball Sde Up
2
3
4
5
6
7
8
1
A12
A9
VPEN
VCC
A20
A8
A5
A11
WE#
RP#
A19
A18
A6
A3
A13
A10
A21
A7
A4
A2
D14
D5
D11
D2
D8
CE#
D15
D6
D12
D3
D9
D0
VSS
D7
D13
D4
VCC
D10
D1
OE#
A22
A1
A14
A15
A16
A17
VCCQ
VSS
A
B
C
D
E
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
28M0U 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0UC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory
28F640L18 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory
28F640L30 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30)
28F640P3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
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