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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640J3A |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲器（3伏6400位英特爾的StrataFlash存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 55/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 574K |
| 代理商： | 28F640J3A |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
PRODUCT PREVIEW
49
0606_18
NOTE:
STS is shown in its default mode (RY/BY#).
NOTES:
1. These specifications are valid for all product versions (packages and speeds).
2. If RP# is asserted while a block erase, program, or lock-bit configuration operation is not executing then the
minimum required RP# Pulse Low Time is 100 ns.
3. A reset time, t
PHQV
, is required from the latter of STS (in RY/BY# mode) or RP# going high until outputs are
valid.
Figure 20. AC Waveform for Reset Operation
IH
V
IL
V
RP# (P)
IH
V
IL
V
STS (R)
P1
P2
Reset Specifications
(1)
#
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
Unit
P1
t
PLPH
RP# Pulse Low Time
(If RP# is tied to V
CC
, this specification is not applicable)
2
35
μs
P2
t
PHRH
RP# High to Reset during Block Erase, Program, or
Lock-Bit Configuration
3
100
ns
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