參數(shù)資料
型號: 28F640J3A
廠商: Intel Corp.
英文描述: 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器)
中文描述: 3伏特英特爾StrataFlash存儲器(3伏6400位英特爾的StrataFlash存儲器)
文件頁數(shù): 10/58頁
文件大?。?/td> 574K
代理商: 28F640J3A
28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
4
PRODUCT PREVIEW
0667-02
NOTES:
1. Address A
22
is only valid on 64-Mbit densities and above, otherwise, it is a no connect (NC)
2. Address A
23
is only valid on 128-Mbit densities and above, otherwise, it is a no connect (NC)
3. Address A
is only valid on 256-Mbit densities and above, otherwise, it is a no connect (NC)
4.
Don’t Use (DU) pins refer to pins that should not be connected
Figure 2.
3 Volt Intel StrataFlash Memory Easy BGA Package
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
Top View - Ball Side Down
Bottom View - Ball Side Up
A
1
A
6
A
8
V
PEN
A
13
V
CC
A
18
A
22
(1)
A
2
GND
A
9
CE
0
#
A
14
DU
A
19
CE
1
#
A
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A
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A
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A
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A
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DU
A
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A
21
A
4
A
5
A
11
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
3
DQ
4
DU
DQ
15
STS
BYTE# DQ
0
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DU
DU
OE#
A
23
(2)
A
0
DQ
2
V
CCQ
DQ
5
DQ
6
DQ
14
WE#
CE
2
#
DU
V
CC
GND DQ
13
GND DQ
7
A
24
(3)
RP#
DU
DU
A
16
A
17
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A
22
(1)
A
18
V
CC
A
13
V
PEN
A
8
A
6
A
1
CE
1
#
A
19
DU
A
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CE
0
#
A
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GND
A
2
A
21
A
20
DU
A
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A
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A
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A
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A
3
A
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DU
STS DQ
15
DU
DQ
4
DQ
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DQ
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DQ
1
DQ
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OE#
DU
DU
DQ
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BYTE#
WE# DQ
14
DQ
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DQ
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V
CCQ
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A
0
A
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(2)
A
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DQ
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GND DQ
13
GND
V
CC
DU
CE
2
#
DU
RP#
A
11
A
5
A
4
32 Mbit, 64 Mbit and 128 Mbit: 10 x 13 x 1.2 mm
1.0 mm-ball pitch
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PDF描述
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
28F1602C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器)
28F3204C3 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級堆芯片封裝存儲器)
28F1604C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器)
28F160C18 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級引導(dǎo)塊閃速存儲器)
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