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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640J3A |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（3伏6400位英特爾的StrataFlash存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 48/58頁(yè) |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | 28F640J3A |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
42
PRODUCT PREVIEW
6.3
Capacitance
(1)
T
A
= +25 °C, f = 1 MHz
NOTES:
1. Sampled, not 100% tested.
6.4
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
Symbol
Parameter
Notes
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input and V
PEN
Load Current
1
±
1
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
±
10
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
±
10
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,3,5,9
50
100
μ
A
CMOS Inputs, V
= V
Max,
Device is enabled (see Table 2, Chip Enable
Truth Table), RP# = V
CCQ
± 0.2 V
0.71
2
mA
TTL Inputs, V
= V
Max,
Device is enabled (see Table 2,
Chip Enable
Truth Table
), RP# = V
IH
I
CCD
V
CC
Power-Down Current
9
50
100
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V, I
OUT
(STS) = 0 mA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,9
35
55
mA
CMOS Inputs, V
= V
Max, V
= V
Max using standard word/byte single reads
Device is enabled (see Table 2,
Chip Enable
Truth Table
)
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
45
65
mA
TTL Inputs,V
= V
Max, V
= V
Max
using standard word/byte single reads
Device is enabled (see Table 2,
Chip Enable
Truth Table
)
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,9
TBD
TBD
mA
CMOS Inputs, V
= V
Max, V
= V
Max using standard word/byte single reads
Device is enabled (see Table 2,
Chip Enable
Truth Table
)
f = 33 MHz, I
OUT
= 0 mA
TBD
TBD
mA
TTL Inputs,V
= V
Max, V
= V
Max
using standard word/byte single reads
Device is enabled (see Table 2,
Chip Enable
Truth Table
)
f = 33 MHz, I
OUT
= 0 mA
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